Estudio y diseño de un reactor cvd de paredes calientes y elevada capacidad para la fabricación de células solares epitaxiales

Abstract

Si bien existen diferentes estudios para un aumento de la capacidad de los reactores tipo CVD, la mayoría no están enfocados a la fabricación de células solares, sino a la fabricación de circuitos integrados. El objetivo que se marca este trabajo es realizar un estudio que permita proponer un tipo de reac tor epitaxial dirigido a obtener, mediante substratos de Silicio de baja calidad, capas epitaxiales de la manera más eficiente posible, con la finalidad última del abaratamiento de los costes de las células solares. En la actualidad, casi siempre debido a la baja capacidad de los reactores disponibles en el mercado, no es posible reducir el precio de las células solares de manera significativa. El trabajo aborda y analiza los problemas fundamentales que se presentan para poder aumentar el rendimiento de un reactor. Fundamentalmente se centra en los sistemas actuales de mayor capacidad. Hoy en día, los reactores que presetan una mayor capacidad son los reactores horizontales de sección cilíndrica y de paredes calientes, que operan a baja presión para evitar la deposición homogénea. El inconveniente de estos reactores es que no pueden operar a elevadas temperatura, ni tampoco a presiones parciales elevadas, esto hace que el rendimiento sea muy bajo (velocidad de deposición baja). El aporte principal de este trabajo es analizar los factores que más influyen en el coste de la epitaxia, por un lado, y por otro, el proponer sistemas de paredes calientes a presión atmosférica y elevada temperatura. El reto fundamental que se presenta es evitar la deposición homogénea.